题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks＞＞hg，此时淀积速率的特点为：
A.温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响；
B.淀积速率受气相质量输运控制；
C.淀积速率受表面化学反应控制；
D.反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
答案
淀积速率受气相质量输运控制；
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A.光化学气相淀积
B.等离子体增强化学气相淀积
C.低压化学气相淀积
D.常压化学气相淀积
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第6题
LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（）。
A.SiCl4→Si+2Cl2
B.Si3N4→3Si+2N2
C.SiH4 →Si+2H2
D.SiH2Cl2→Si+Cl2+H2
第7题
LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（）。
A.SiCl4→Si+2Cl2
B.SiH4 →Si+2H2
C.Si3N4→3Si+2N2
D.SiH2Cl2→Si+Cl2+H2
第8题
IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象：
A.在淀积的铝膜中掺入约1%Cu；
B.在淀积的铝膜中掺入约1%Si；
C.在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜；
D.在铝膜表面覆盖Si3N4。
第10题
IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象：
A.在淀积的铝膜中掺入约1%Cu；
B.在淀积的铝膜中掺入约1%Si；
C.在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜；
D.在铝膜表面覆盖Si3N4。
