题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。

答案

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第1题

二极管导通电压不需要超过死区电压

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第2题

二极管导通电压不需要超过死区电压

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第3题

下列有关硅二极管的说法，正确的是。

A.死区电压为0.1V，正向导通电压为0.3 V

B.死区电压为0.3 V，正向导通电压为0.5 V

C.死区电压为0.5 V，正向导通电压为0.7 V

D.死区电压为0.7 V，正向导通电压为0.9 V

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第4题

硅半导体二极管正向导通时的管压降为（）。

A.0.5V###SXB###B.0.2~0.3V###SXB###C.0.6~0.7V###SXB###D.

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第5题

二极管的导通条件是

A.UD大于死区电压

B.UD大于0

C.UD大于导通电压

D.UD大于击穿电压

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第6题

一般情况下，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（)。

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第7题

硅管的导通电压约为（）V。

A.0.1

B.0.3

C.0.5

D.0.7

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第8题

对于理想二极管，当其正偏时，结电阻为零，导通压降为零；当其反偏时，结电阻为无穷大，流过的电流为零；（）

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第9题

有两只稳压管，稳定电压分别为5V和8V，正向导通管压降为0.7V。若将它们并联相接，可得到（）几种稳压值。

A.5V

B.0.7V

C.8V

D.8.7V

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