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[主观题]

半导体二极管温度升高时,将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度,因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。

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第1题

当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流Is将增大,是因为此时PN结内部的()。

A.多数载流子浓度增大

B.少数载流子浓度增大

C.多数载流子浓度减小

D.少数载流子浓度减小

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第2题

当温度升高时,二极管的反向特性曲线将下移。
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第3题

当温度升高时,二极管的反向饱和电流会 () 。

A.增大

B.减小

C.不变

D.随机态

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第4题

在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而____。

A.增大

B.减小

C.不变

D.无规律变化

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第5题

温度升高,二极管的反向特性曲线 。

A.左移

B.上移

C.右移

D.下移

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第6题

在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于 。

A.杂质浓度

B.温度

C.本征半导体

D.掺杂工艺

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第7题

杂质半导体中其掺杂浓度远大于本征半导体的载流子浓度。
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第8题

二极管的反向饱和电流在20摄氏度时时5微安,温度每升高10摄氏度,其反向饱和电流增大一倍,当温度为50摄氏度时,反向饱和电流值为()微安。
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第9题

半导体中的少数载流子产生的原因是 。

A.内电场

B.热激发

C.掺杂

D.外电场

E.本征激发

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第10题

在绝对零度(0 K)时,本征半导体中()载流子。

A.有

B.没有

C.少数

D.多数

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