题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
下列关于C3S诱导期的说法正确的是:
A.水化形成的包覆层的渗透率低
B.C3S诱导期大约几分钟
C.C3S诱导期放热速度较快
D.水化速度受化学控制
答案
A、水化形成的包覆层的渗透率低
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A.水化形成的包覆层的渗透率低
B.C3S诱导期大约几分钟
C.C3S诱导期放热速度较快
D.水化速度受化学控制
第4题
A.水化形成的包覆层的渗透率低
B.C3S诱导期大约几分钟
C.C3S诱导期放热速度较快
D.水化速度受化学控制
E.水化速度受水的扩散控制
F.C3S诱导期放热速度慢
第6题
A.硅原子间不存在直接连接的键
B.C3S、C2S的各种晶型中,[SiO4]四面体的结合属于组群状结构
C.四种主要熟料矿物的水化速度顺序为C3S>C2S>C3A>C4AF
D.C2S是水泥石早强强度的主要贡献者
E.C3S、C2S的各种晶型中,[SiO4]四面体的结合属于组岛状结构
F.四种主要熟料矿物的水化速度顺序为C3A>C4AF>C3S>C2S
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