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[主观题]

杂质半导体的导电性能是不可以通过掺杂浓度而改变的。

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第1题

在杂质半导体中,多子的数量与()有关?

A.温度

B.光照

C.掺杂浓度

D.湿度

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第2题

非本征半导体中,当电子浓度高于空穴浓度时,半导体是 型,掺入的是 杂质。

A.n, 受主

B.n, 施主

C.p, 受主

D.p, 施主

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第3题

在本征半导体中掺杂进少量的五价原子,将会形成N型半导体。
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第4题

补偿半导体的形成描述不正确的是()

A.指同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体

B.n型半导体中材料中注入受主杂质原子

C.p型半导体中材料中注入受主杂质原子

D.补偿型半导体性质完全取决于杂质浓度Na与Nd的数目

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第5题

是晶体中不含杂质和晶格缺陷的纯净半导体。

A.P型半导体

B.n型半导体

C.本征半导体

D.平衡半导体

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第6题

在本征半导体中掺入()杂质,可以获得N型半导体。

A.三价元素

B.四价元素

C.磷

D.硼

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第7题

霍尔效应实验中,通过霍尔片的电流为——电流,而磁场的改变是通过改变——电流实现的
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第8题

热平衡状态非本征半导体,电子浓度n0和空穴浓度p0与本征半导体浓度ni的关系()

A.n0 *p0=ni2

B.n0 *p0>ni2

C.n0 *p0<ni2

D.无法确定

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第9题

任意两电对都可通过改变电对的浓度来改变反应的方向。()
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第10题

补偿型半导体完全电离条件下,热平衡电子浓度关系是n0+Na=p0+Nd。
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