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[主观题]

让杂质偏聚在晶界,使晶粒内部纯净,有利于提高热强性。

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第1题

金属结晶后的晶粒越大,晶界数量越少,则性能越差。
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第2题

晶界是指属于同一固相但位向不同的晶粒之间的界面。
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第3题

再结晶结束后发生晶粒长大时的驱动力主要来自于 。

A.(A)高的外加温度

B.(B)高的材料内部应变能

C.(C)高的总晶界能

D.(D)都不是

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第4题

颗粒分在基体中的分布即晶内、晶界和晶内和晶界同时均有分布时其性能有何差异?
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第5题

加工硬化是由塑性变形时金属内部组织变化引起的,加工硬化后金属内部组织的变化有()。

A.晶粒沿变形方向被拉长

B.滑移面附近的晶格产生畸变

C.滑移面和晶粒间产生许多微小碎晶

D.非选项

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第6题

细晶强化不同于加工硬化、固溶强化等,其最大特点是细化晶粒在使材料强化的同时不会使材料的塑性 ,相反会使材料的塑性和 同时提高。
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第7题

本征半导体是没有杂质的纯净晶体半导体。
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第8题

对于晶界扩散和体内扩散,假定扩散激活能Q晶界约等于1/2Q体积,试画出其lnD相对温度倒数1/T的曲线,并指出约在哪个温度范围内晶界扩散起主导作用。
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第9题

再结晶形核的主要方式晶界弓出形核、亚晶合并机制和 。
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第10题

小角度晶界是由位错所构成的。
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