题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

兴奋性突触后电位是

A.突触后神经元处于兴奋状态

B.经一中间神经元的中介而产生

C.可由突触后膜K+电导增加而产生

D.可由突触后膜Ca2+电导增加而产生

E.幅度不收突触前膜递质释放量的影响

答案
C、可由突触后膜K+电导增加而产生
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第1题

关于突触的描述错误的是

A.是神经元与神经元之间或神经元与非神经细胞之间的一种特化的细胞连接

B.可分为电突触和化学突触

C.化学突触由突触前膜,突触间隙和突触后膜组成

D.电突触是缝隙连接

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第2题

兴奋性突触后电位是指在突触后膜上发生的电位变化为超极化。
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第3题

关于EPSP和IPSP错误的是

A.都是局部电位

B.均是引起突触后膜离子电导发生了改变

C.EPSP释放了兴奋性的递质,引起膜的去极化

D.IPSP引发了钾离子外流,突触后膜超极化

E.突触后膜上的受体一般为配体门控的离子通道

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第4题

抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生

A.Ca2+

B.Na+

C.K+

D.Cl-和K+

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第5题

IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的

A.K+、Na+,尤其是K+

B.K+、Na+,尤其是Na+

C.Ca2+、K+、Cl-,尤其是K+

D.Cl-,尤其是Cl-

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第6题

下列对于化学突触的描述错误的是

A.通过释放神经递质传递信号

B.A. 能够双向传递

C.A. 突触前和突触后的神经元胞质不相互连通

D.A. 一般需要钙离子流入突触前膜

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第7题

突触后膜的膜电位在递质作用下发生去极化改变,使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性降低,这种电位变化称为EPSP。
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第8题

突触前抑制的结构基础是

A.轴突-树突式突触

B.轴突-胞体式突触

C.轴突-轴突式突触

D.抑制性中间神经元

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第9题

现在观点认为突触是由突触前膜、突触后膜以及包围在它们周围的胶质细胞膜所组成
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第10题

兴奋性突触后电流是由于突触后膜对下列哪些离子通透性增加所致?()

A.Na+、K+,尤其是K+

B.Na+、K+,尤其是Na+

C.K+、CI-,尤其是CI-

D.CI-,尤其是K+

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