热氧化的速率与晶圆的晶向有关，但与氧化剂压力无关。

热氧化的速率与晶圆的晶向有关，但与氧化剂压力无关。

影响热氧化速率中，晶向是最重要的。

晶界移动的速率是与晶界的曲率半径以及烧结温度密切相关，故烧结温度越高、晶粒的曲率半径越大，晶界向其曲率中心移动的速率越快。

若核化速率和晶化速率曲线重叠面积大，则表明析晶区宽，故过冷度小时，控制在晶化速率大处析晶则可以获得数量少但尺寸大的晶体。

若核化速率和晶化速率曲线重叠面积大，则表明析晶区宽，故过冷度大时，控制在晶化速率大处析晶则可以获得数量多但尺寸小的晶体。

若核化速率和晶化速率曲线重叠面积大，则表明析晶区宽，故过冷度大时，控制在晶化速率大处析晶则可以获得数量少但尺寸大的晶体。

若核化速率和晶化速率曲线重叠面积大，则表明析晶区宽，故过冷度小时，控制在核化速率大处析晶则可以获得数量少但尺寸大的晶体。

晶圆尺寸通常用英寸表示，十二英寸晶圆是指

从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体的晶向是111、100和（）。

晶带是与过某个晶向或与其平行的所有晶面，这个晶向称为晶带轴。若晶带轴指数为［uvw］，则［uvw］与晶带中的一个晶面（hkl）这两个指数之间的［uvw］.（hkl）等于（）。