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[主观题]

对于n型半导体来说,低温区间的导电性主要由电子贡献。

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第1题

对于p型掺杂半导体,低温弱电离时,费米能级的位置()。

A.低于受主能级

B.高于受主能级

C.低于施主能级

D.高于施主能级

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第2题

非本征半导体中,当电子浓度高于空穴浓度时,半导体是 型,掺入的是 杂质。

A.n, 受主

B.n, 施主

C.p, 受主

D.p, 施主

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第3题

金属与p型半导体形成的MIS结构在耗尽状态时Qs的增加主要由加宽的那部分耗尽层中的()承担所致。

A.电离施主

B.电离受主

C.电子

D.空穴

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第4题

N型半导体的多子是电子。
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第5题

对本征半导体,电阻率主要由本征载流子浓度决定;对杂质半导体,电阻率主要由杂质浓度决定。
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第6题

在____中,空穴浓度大于电子浓度。

A.P型半导体

B.本征半导体

C.N型半导体

D.不存在

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第7题

N型半导体中存在电子,不存在空穴。
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第8题

本征硅中掺入Ⅴ价元素杂质,为()型半导体。

A.空穴

B.电子

C.受主

D.p型

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