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第1题
下面关于二氧化硅薄膜制备的说法哪项是正确的()。 ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2,衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2,温度低
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第2题
MOSFET出厂时,如果衬底未与源极相连,则 _____________在使用时可互换。
A.栅极与源极
B.漏极与源极
C.栅极与漏极
D.衬底与源极
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第3题
一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中
A.其栅氧化层厚度越小,阈值电压越大
B.其衬底掺杂浓度越高,阈值电压越大
C.其阈值电压必定是负的
D.其衬底费米势肯定是负的
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第4题
为保证导电沟道与衬底之间的PN结反偏,N沟道器件的衬底通常接电路的最低电位。
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第5题
MOS晶体管的衬底必须接系统最低电压,以防止源极/衬底、漏极/衬底寄生二极管导通。
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第6题
水面宽度大于100m时,在左右岸明显水流出各设一条垂线。
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第7题
以P-Si为衬底的MOS结构在达到强反型时,其表面空间电荷是负的
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第8题
竖写时,文字辅助标志写在标志杆的上部,白色字,黑色衬底。()
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第9题
当MOS管的衬底引线单独引出时,应将其接到电路中的电位最低点(对N沟道MOS管而言)或电位最高点(对P沟道MOS管而言),以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置,使衬底与沟道及各电极隔离。
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第10题
已知MOS结构的硅衬底费米势大于0,则该材料中的电子浓度大于空穴浓度
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