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[单选题]

在考虑一条简单的矩形导线放在半导体衬底上时,如果导线的宽度明显大于它与衬底之间的绝缘材料的厚度时,就可以假设电场线 于电容极板,那么这两者之间的电容就可以用平行板电容模型来模拟,总电容可近似为 。

A.平行;Cint= (tdi/εdi)×WL

B.垂直;Cint= (tdi/εdi)×WL

C.平行;Cint=(εdi/tdi)×WL

D.垂直;Cint=(εdi/tdi)×WL

答案
大于; 垂直
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第1题

下面关于二氧化硅薄膜制备的说法哪项是正确的()。 ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2,衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2,温度低

A.⑴⑵⑷

B.⑵⑶⑷

C.⑴⑶⑷

D.⑴⑵⑶⑷

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第2题

MOSFET出厂时,如果衬底未与源极相连,则 _____________在使用时可互换。

A.栅极与源极

B.漏极与源极

C.栅极与漏极

D.衬底与源极

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第3题

一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中

A.其栅氧化层厚度越小,阈值电压越大

B.其衬底掺杂浓度越高,阈值电压越大

C.其阈值电压必定是负的

D.其衬底费米势肯定是负的

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第4题

为保证导电沟道与衬底之间的PN结反偏,N沟道器件的衬底通常接电路的最低电位。
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第5题

MOS晶体管的衬底必须接系统最低电压,以防止源极/衬底、漏极/衬底寄生二极管导通。
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第6题

水面宽度大于100m时,在左右岸明显水流出各设一条垂线。
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第7题

以P-Si为衬底的MOS结构在达到强反型时,其表面空间电荷是负的
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第8题

竖写时,文字辅助标志写在标志杆的上部,白色字,黑色衬底。()
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第9题

当MOS管的衬底引线单独引出时,应将其接到电路中的电位最低点(对N沟道MOS管而言)或电位最高点(对P沟道MOS管而言),以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置,使衬底与沟道及各电极隔离。
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第10题

已知MOS结构的硅衬底费米势大于0,则该材料中的电子浓度大于空穴浓度
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