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[主观题]

P型半导体中的多数载流子是空穴,N型半导体中的多数载流子是自由电子。

答案
空穴自由电子掺杂的浓度好
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第1题

非本征半导体中,当电子浓度高于空穴浓度时,半导体是 型,掺入的是 杂质。

A.n, 受主

B.n, 施主

C.p, 受主

D.p, 施主

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第2题

是晶体中不含杂质和晶格缺陷的纯净半导体。

A.P型半导体

B.n型半导体

C.本征半导体

D.平衡半导体

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第3题

补偿半导体的形成描述不正确的是()

A.指同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体

B.n型半导体中材料中注入受主杂质原子

C.p型半导体中材料中注入受主杂质原子

D.补偿型半导体性质完全取决于杂质浓度Na与Nd的数目

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第4题

在本征半导体中掺入高浓度的(),可获得P型半导体。

A.三价元素

B.五价元素

C.四价元素

D.磷

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第5题

本征半导体中,导带中的电子数量 价带中的空穴数量。

A.相等

B.大于

C.小于

D.不确定

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第6题

T=0K时p型半导体,杂质原子不包含任何电子,费米能级一定高于受主能级。
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第7题

补偿型半导体完全电离条件下,热平衡电子浓度关系是n0+Na=p0+Nd。
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第8题

热平衡状态非本征半导体,电子浓度n0和空穴浓度p0与本征半导体浓度ni的关系()

A.n0 *p0=ni2

B.n0 *p0>ni2

C.n0 *p0<ni2

D.无法确定

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第9题

对于本征费米能级位置的描述,错误的是 。

A.电子有效质量等于空穴有效质量,本征费米能级位于禁带中央

B.电子有效质量小于空穴有效质量,本征费米能级低于禁带中央

C.状态密度函数与载流子有效质量直接相关

D.本征费米能级位置随状态密度的增大而发生移动

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第10题

以下哪种元素可以作为半导体材料?

A.碳(C)

B.硅(Si)

C.磷(P)

D.砷(As)

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