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[主观题]

增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。

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第1题

N沟道增强型MOS管的栅源开启电压为。

A.正值

B.负值

C.不确定

D.0

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第2题

增强型MOS管，在无外加偏置电压时，不存在导电沟道。

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第3题

一个NPN管在电路中正常工作，现测得：UBE>0，UBC>0， UCE>0，则此管工作区为（）。

A.饱和区

B.截止区

C.放大区

D.不确定

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第4题

MOS管在模拟集成电路中的工作区域是饱和区。

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第5题

增强型NMOS管的开启电压（）。

A.大于零

B.小于零

C.等于零

D.大于零或等于零

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第6题

测得某MOSFET的漏源电压，栅源电压值以及阈值电压：VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V，试判断该管子工作在区。

A.饱和

B.截止

C.可变电阻

D.无法判断

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第7题

N沟道增强型MOS管有截止和饱和导通两种工作状态。

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第8题

晶体管的输出特性曲线可以分为截止区、放大区、饱和区，在模拟电子电路中，要实现放大，晶体管应工作在（）区。

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第9题

由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，栅源电压VGS应：。

A.大于0

B.小于0

C.大于或小于0均可

D.无法确定

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