非晶硅薄膜的带尾吸收区对应电子从导带边扩展态到价带尾态的跃迁，或者电子从价带尾态到导带边扩展态的跃迁。

非晶硅薄膜的带尾吸收区对应电子从导带边扩展态到价带尾态的跃迁，或者电子从价带尾态到导带边扩展态的跃迁。

非晶硅薄膜吸收图谱中，A 区是由电子吸收能量大于光学带隙的光子后从价带内部向导带内部跃迁而产生的吸收。在此区域，a-Si:H的吸收系数较大，通常在104cm-1 以上，随光子能量的变化具有幂指数特征。

非晶硅薄膜吸收图谱中，A 区是由电子吸收能量大于光学带隙的光子后从价带内部向导带内部跃迁而产生的吸收。在此区域，a-Si:H的吸收系数较大，通常在104cm-1 以上，随光子能量的变化具有幂指数特征。

半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。 A.价带，导带 B.价带，禁带 C.禁带，导带 D.导带，价带

半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。 A.价带，导带 B.价带，禁带 C.禁带，导带 D.导带，价带

从能带角度分析，非晶硅薄膜材料中存在着连续分布的状态密度，其导带和价带之间并没有严格定义的带隙。

从能带角度分析，非晶硅薄膜材料中存在着连续分布的状态密度，其导带和价带之间并没有严格定义的带隙。