题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

1、在低掺杂半导体中，μ随T升高而大幅度下降；在高掺杂时，迁移率随温度变化较小。

答案

降低/升高

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更多“1、在低掺杂半导体中，μ随T升高而大幅度下降；在高掺杂时，迁…”相关的问题

第1题

轻掺杂时，当温度一定，半导体掺杂浓度减少，其导电性（）。

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

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第2题

在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于。

A.杂质浓度

B.温度

C.本征半导体

D.掺杂工艺

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第3题

某化学反应在298K时ΔrHmθ＜0，ΔrSmθ＞0，则在298K该反应的平衡常数是（）

A.Kθ>1，且随T的升高而增大

B.Kθ>1，且随T的升高而减小

C.Kθ<1，且随T的升高而增大

D.Kθ<1，且随T的升高而减小

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第4题

画图并说明掺杂固溶体瓷与两相陶瓷的热导率随成分体积分数而变化的规律有何不同。

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第5题

若半导体中同时存在施主和受主掺杂，且施主掺杂浓度近似等于受主掺杂浓度，则该半导体称为（）半导体？

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第6题

在杂质半导体中，多子的数量与（）有关？

A.温度

B.光照

C.掺杂浓度

D.湿度

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第7题

在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于。

A.温度

B.杂质浓度

C.晶体缺陷

D.掺杂工艺

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第8题

在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于____

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.无

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