单结p-i-n结构微晶硅薄膜太阳能电池的p层为电池的窗口层，通常为硼掺杂的微晶硅薄膜。（）

对于单结p-i-n结构微晶硅薄膜太阳能电池的p层，以下说法正确的是（）。

单结p-i-n结构微晶硅薄膜太阳能电池中，TCO层为电池的（）。

单结n-i-p结构的微晶硅薄膜太阳能电池的ITO层多采用氧化锌或掺铝氧化锌，厚度通常为70-80nm。

单结微晶硅薄膜太阳能电池的本征层晶化率越高，电池的稳定性越高，其光致衰退率也越低。

实际应用中，单结微晶硅薄膜太阳能电池一般是在pn层之间再加入一个（）层。

1994年,瑞士研究团队采用甚高频等离子体化学气相沉积（VHF-PECVD)技术和微量 掺杂的方法制备出转换效率大于7%的单结微晶硅p-i-n电池，掀起了微晶硅薄膜太阳能电池的研究热潮。

1994年,瑞士研究团队采用甚高频等离子体化学气相沉积（VHF-PECVD)技术和微量 掺杂的方法制备出转换效率大于7%的单结微晶硅p-i-n电池，掀起了微晶硅薄膜太阳能电池的研究热潮。

微晶硅比非晶硅具有更好的结构有序性，用微晶硅薄膜制备的太阳能电池几乎没有光致衰减效应。

PN结结构的微晶硅薄膜太阳能电池利用漂移来收集光生载流子。