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[主观题]

同素异构转变过程遵循晶核形成与晶核长大的规律。

答案

A

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第1题

沉淀的形成一般要经过晶核的形成和晶核长大两个过程。

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第2题

奥氏体的形成过程，是形核和晶核长大同时进行的过程。

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第3题

当晶核长大时，随过冷度的增加，晶核的长大速率增大。但是过冷度很大时，晶核长大速率很快减小。

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第4题

共析钢奥氏体的形成过程为奥氏体形核、奥氏体晶核长大、残留碳化物溶解、奥氏体成分均匀化.

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第5题

奥氏体的形成过程包括奥氏体形核、晶核长大、残余铁素体溶解、奥氏体成分均匀化四个阶段。

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第6题

如果在过冷液态中形成边长为a的立方体晶核时，求晶核的临界立方体边长a*和成核势垒ΔGa*；与球形晶核比较，形成哪一种晶核的成核势垒大？

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第7题

晶核长大的方式有哪几种？

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第8题

过冷度△T对成核生长型相变的临界晶核形成与晶体生长速率皆有影响，其影响规律是（）

A.过冷度△T越大，临界晶核越容易形成，晶体生长越慢

B.过冷度△T越小，临界晶核越容易形成，晶体生长越慢

C.在合适的过冷度范围内，过冷度△T越大，临界晶核形成越困难，晶体生长越慢

D.在合适的过冷度范围内，过冷度△T越大，临界晶核越容易形成，晶体生长越快

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第9题

熔体结晶化过程包括晶核形成、两个过程。

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第10题

如果在某过冷液体中形成边长为a的立方体晶核，求晶核的临界立方体边长ac和临界自由焓ΔGc。和形成球形晶核比较，哪一种晶核的临界自由焓大？

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