第1题
A.多子
B.多福
C.多寿
D.多孝
第2题
第3题
A.A
B.B
C.C
D.D
第4题
第5题
第6题
第7题
第8题
A.温度
B.光照
C.掺杂浓度
D.湿度
第9题
A.N型半导体,自由电子数是远远大于空穴数的
B.N型半导体中,自由电子是多子
C.N型半导体中,空穴是多子
D.N型半导体中的空穴主要由热激发形成
第10题
A.扩散电流减少了pn结中少子注入
B.复合电流减少了pn结中少子注入
C.扩散电流减少了pn结中多子注入
D.复合电流减少了pn结中多子注入
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