题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是：
A.突触前轴突末梢超极化
B.对Ca2+、K+通透性增大
C.突触后膜出现超极化
D.突触后膜去极化
如搜索结果不匹配，请 联系老师 获取答案
对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是
A．突触前轴突末梢超极化
B．对Ca2+、K+通透性增大
C．突触后膜出现超极化
D．突触后膜去极化
E．突触前膜去极化
更多“关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是：”相关的问题
第3题
关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）
A.突触前轴突末梢超极化
B.突触后膜对Ca、K的通透性增大
C.突触后膜去极化
D.突触后膜电位负值增大，出现超极化
E.突触后膜对K、Na，尤其是K的通透性增大
第4题
关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是 （)
A、突触前轴突末梢超极化
B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大
C、突触后膜去极化
D、突触后膜电位负值增大，出现超极化
E、突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大
第5题
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（)。A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大B.突触后膜去极化C.突
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是()。
A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大
B.突触后膜去极化
C.突触后膜出现超极化
D.突触后膜出现复极化
E.以上都不是
第7题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（)A.突触后膜对Cl-或K+的通透性升高B.突触前轴突末
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是()
A.突触后膜对Cl-或K+的通透性升高
B.突触前轴突末梢去极化
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.Ca2+由膜外进人突触前膜内
E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
第8题
突触前抑制的产生是由于A．突触前轴突末梢超极化B．突触前轴突末梢去极化C．突触后膜的兴奋性发生改
突触前抑制的产生是由于
A．突触前轴突末梢超极化
B．突触前轴突末梢去极化
C．突触后膜的兴奋性发生改变
D．突触前轴突末梢释放抑制性递质
E．突触后神经元超极化
第9题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的（)。
A.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
B.突触后膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
C.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高
D.突触前轴突末梢去极化
E.Ca2由膜外进入突触前膜内
第10题
突触前抑制的产生是因为A．突触前轴突末梢释放抑制性递质B．突触前轴突末梢除极化C．突触后膜的兴奋
突触前抑制的产生是因为
A．突触前轴突末梢释放抑制性递质
B．突触前轴突末梢除极化
C．突触后膜的兴奋性发生改变
D．突触前轴突末梢超极化
第11题
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的
A.突触前末梢去极化
B.Ca2+由膜内进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
