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[主观题]
电路如下图所示，NMOS管的参数为：VT=1V，KN=50μA／V2，λ=0，PMOS管的参数为：VT=－1V，KP=25μA／V2，λ=0，设全部管子均
电路如下图所示，NMOS管的参数为：VT=1V，KN=50μA/V2，λ=0，PMOS管的参数为：VT=-1V，KP=25μA/V2，λ=0，设全部管子均工作于饱和区，试求R、I3和I4的值。各管的W/L值
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第1题
电路如图题6.1.3所示，NMOS管的参数为: VT=1V，Kn=50μA/V2, λn=0。PMOS管的管的参数为: VT=-1 V,
Kp=25μA/V2, λ=0,设全部管子均运行于饱和区，试求R、I3，和I4的值。各管的W/L值见图示。
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第2题
CMOS源极耦合差分式放大电路如下图所示，电路参数为＋VDD=＋10V，－VSS=－10V，IO=0.1mA，PMOSFET T3、T4的KP=80μA／V
CMOS源极耦合差分式放大电路如下图所示，电路参数为+VDD=+10V，-VSS=-10V，IO=0.1mA，PMOSFET T3、T4的KP=80μA/V2，λP=0.015V-1，VT=-1V。NMOSFET T1、T2的KN=100μA/V2，λN=0.01V-1，VT=-1V。确定差模电压增益Avd2=？
第3题
电流源电路如下图所示，VDD=＋5V，－VSS=－5V，T1～T5为特性相同的NMOS管，VT=2V，KN2=KN3=KN4=KN5=0.25mA／V2，KN1=0.
电流源电路如下图所示，VDD=+5V，-VSS=-5V，T1～T5为特性相同的NMOS管，VT=2V，KN2=KN3=KN4=KN5=0.25mA/V2，KN1=0.10mA/V2，λ=0,求IREF和I。
第5题
电路如下图所示，设Rg1=90kΩ，Rg2=60kΩ，Rd=30kΩ，VDD=5V，VT=1V，KN=0.1mA／V2。试计算电路的栅源电压VGS和漏源电
电路如下图所示，设Rg1=90kΩ，Rg2=60kΩ，Rd=30kΩ，VDD=5V，VT=1V，KN=0.1mA/V2。试计算电路的栅源电压VGS和漏源电压VDS。
