题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
电路如图题6.1.3所示，NMOS管的参数为: VT=1V，Kn=50μA/V2, λn=0。PMOS管的管的参数为: VT=-1 V,
Kp=25μA/V2, λ=0,设全部管子均运行于饱和区，试求R、I3，和I4的值。各管的W/L值见图示。
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第1题
电流源电路如图题6.1.5所示，VDD= +5 V，-Vss= -5V, T1~T5为特性相同的NMOS管VT=2 V, Kn2=Kn3=
Kn4=Kn5=0.25 mA/V2, Kn1 =0.10 mA/V2 ，λ=0,求IREF和I值。
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第2题
电路如图题7.1.1所示，IREF=I1=1mA， NMOS管的参数为：VTN=1V，Kn=50μA/V2
电路如图题7.1.1所示，IREF=I1=1mA， NMOS管的参数为：VTN=1V，Kn=50μA/V2，λn=0。PMOS管的参数为：VTP= -1V，KP=25μA/V，λP=0，设全部管子均运行于饱和区，试求R、I3和I4的值。各管的W/L值见图示。
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第3题
串级电流源电路如图题7.1.3所示，NMOS管都工作在饱和放大区，其VTN=0.6V，K'n=μnc01=
160μA/V2，λn=1/10V'L=1μm，W1=W3=4μm，W2=W4=40μm，电路中IREF=20μA，(1)求输出电流I0、T2和T4的VGS2、VGS4，保证电路工作的最小输出电压Vomin的值;(2)求gm2，gm和r02、r04的值，以及电路输出电阻R0的值。
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第4题
CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示，将电流源IREF换成电阻RREF。设所有
CMOS共源放大电路如图题4.11.2（主教材图4.6.8a)所示，将电流源IREF换成电阻RREF。设所有
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MOS管的|VT|=0.8V，λ=0.01v-1。NMOS管的Kn=80μA/V2，(W/L)T1=15;PMOS管的Kn=40μA/V2，(W/L)T2·T3=30，VDD=5V。试用SPICE分析：(1)流过电阻RREF的电流为0.2mA时，确定电阻RREF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v0=f(v1)，并求当vo位于中点时对应的v1值;(3)求小信号电压增益。
第5题
1. 用尽可能少的晶体管实现逻辑函数f=xy+xz的CMOS复杂门电路。 2. 如图1所示为CMOS电路中含NMOS管的一半，请画出该电路中含PMOS晶体管的另一半。 3. 如图2所示为CMOS电路中含PMOS管的一半，请画出该电路中含NMOS晶体管的另一半。 4. （a）请给出如图3所示的CMOS电路的真值表。 （b）从（a）所得真值表推导出规范的积之和形式的表达式。如果只用“与”门，“或”门及“非”门实现一个代表该表达式的电路，共需要多少个晶体管。
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第7题
场效晶体管放大电路如图3.18(教材图3.09)所示，已知UDD=20V,R1=300kΩ,R2=100kΩ,R3=2 MΩ,RD=22kΩ,Rs=12kΩ, RL =30kΩ,耗尽型NMOS管的UGS(off)= -1.2 V,IDss=0.5mA,gm=0.4 mA/V。试求:(1)静态工作点;(2)电压放大倍数;(3)输人、输出电阻。
场效晶体管放大电路如图3.18（教材图3.09)所示，已知UDD=20V,R1=300kΩ,R2=100kΩ,R3=2 MΩ,RD=22kΩ,Rs=12kΩ, RL =30kΩ,耗尽型NMOS管的UGS（off)= -1.2 V,IDss=0.5mA,gm=0.4 mA/V。试求:（1)静态工作点;（2)电压放大倍数;（3)输人、输出电阻。
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第8题
将上题电路中的RE分成两部分,如图3.10(a)(教材图3.1.14(a))所示,设RE1=200Ω,RE2=2kΩ电路其他参
将上题电路中的RE分成两部分,如图3.10（a)（教材图3.1.14（a))所示,设RE1=200Ω,RE2=2kΩ电路其他参
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数与习题3.1.6相同。试求:
(1)电路的静态工作点;(2)电压放大倍数;(3)输人电阻和输出电阻。
