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[主观题]

电路如图题7.1.1所示，I_REF=I₁=1mA， NMOS管的参数为：V_TN=1V，K_n=50μA/V²

电路如图题7.1.1所示，I_REF=I₁=1mA， NMOS管的参数为：V_TN=1V，K_n=50μA/V²，λ_n=0。PMOS管的参数为：V_TP= -1V，K_P=25μA/V，λ_P=0，设全部管子均运行于饱和区，试求R、I₃和I₄的值。各管的W/L值见图示。

电路如图题7.1.1所示，IREF=I1=1mA， NMOS管的参数为：VTN=1V，Kn=50μA

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第1题

电路如下图所示。设两管的β=100，VBEQ=0.7V，试求：（1)ICQ1、VCEQ1、ICQ2、VCEQ2；（2)Av1、Av2、Ri和Ro。

电路如下图所示。设两管的β=100，V_BEQ=0.7V，试求：(1)I_CQ1、V_CEQ1、I_CQ2、V_CEQ2；(2)A_v1、A_v2、R_i和R_o。

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第2题

电路如图题6.1.3所示，NMOS管的参数为: VT=1V，Kn=50μA/V2, λn=0。PMOS管的管的参数为: VT=-1 V,

Kp=25μA/V2, λ=0,设全部管子均运行于饱和区，试求R、I3，和I4的值。各管的W/L值见图示。

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第3题

共源-共基放大电路如图题5.9.2所示。设T1管的参数为：K_n=300μA/V2，W=240μ_m，L=2μ_m，VT

N=-4V，λ=0.01。T₂管的β=100。试求电路的静态工作点，电压增益和输入电阻。

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第4题

单管放大电路如图题4.3.9所示，已知BJT的电流放大系数β=50。（1)估算Q点；（2)画出简化H参数小信号等效电路；（3)

单管放大电路如图题4.3.9所示，已知BJT的电流放大系数β=50。(1)估算Q点；(2)画出简化H参数小信号等效电路；(3)估算BJT的输入电阻r_be；(4)如输出端接入4kΩ的电阻负载，计算A_v=v_o/v_i及A_vs=v_o/v_s。

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第5题

电路如图题3.5.1所示，所有稳压管均为硅管，且稳定电压VZ=8V，设vi=15sinωt（V)，试画出vo1和vo2的波形。

电路如图题3.5.1所示，所有稳压管均为硅管，且稳定电压V_Z=8V，设v_i=15sinωt(V)，试画出v_o1和v_o2的波形。

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第6题

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已知电路如图T2.4所示，T₁和T₂管的饱和管压降|V_CES|=3V，V_CC=15V，R_L=8Ω。请选择正确答案。

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第7题

电路如图T8.2所示，晶体管的β=50，rbb'=100Ω。（1)计算静态时T1管和T2管的集电极电位；（2)

电路如图T8.2所示，晶体管的β=50，r_bb'=100Ω。

(1)计算静态时T₁管和T₂管的集电极电位；

(2)若v_I=10mV，则v_O=？

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第8题

多路电流源电路如图题7.1.7所示(L_M741的偏置电路)，求电路中各支路电流I_REF。假设BJT的|

多路电流源电路如图题7.1.7所示（L_M741的偏置电路)，求电路中各支路电流I_REF。假设BJT的|

多路电流源电路如图题7.1.7所示(L_M741的偏置电路)，求电路中各支路电流I_REF。假设BJT的|V_BE|=0.6V，β=∞，各管结面积相同。

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第9题

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电路如下图所示，NMOS管的参数为：V_T=1V，K_N=50μA/V²，λ=0，PMOS管的参数为：V_T=-1V，K_P=25μA/V²，λ=0，设全部管子均工作于饱和区，试求R、I₃和I₄的值。各管的W/L值

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第10题

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电路如图4-87所示。已知电压放大倍数为-100，输入电压v_i为正弦波，T₂和T₃管的饱和压降|V_CES|=1V。试问：

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第11题

一双电源互补对称电路如图题8.4.5所示（图中未画出T3的偏置电路)，设输入电压vi为正弦波，电源电压VCC=24V，RL=

一双电源互补对称电路如图题8.4.5所示(图中未画出T₃的偏置电路)，设输入电压v_i为正弦波，电源电压V_CC=24V，R_L=16Ω，由T₃组成的放大电路的电压增益Δv_C3/Δv_B3=-16，射极输出器的电压增益为1，试计算当输入电压有效值V₁=1V时，电路的输出功率P_o、电源供给的功率P_v、两管的管耗P_T以及效率η。

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