电子工业中清洗硅片上的SiO2（s)的反应是 SiO2（s)＋4HF（g)====SiF4（g)＋2H2O（l) 试求此反应自发进行的温度条

制造半导体元件时，常需要精确地测定硅片上的二氧化硅(SiO2)薄膜的厚度，这时可把二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉，使它成为劈尖，利用等厚干涉条纹测出其厚度．已知Si的折射率为3．42，SiO2的折射率为1．5．用氦氖激光(λ=632．8nm)垂直照射，在反射光中观察到在腐蚀区域内有8条暗纹，求SiO2薄膜的厚度．

劈尖，利用等厚条纹测出其厚度。已知Si的折射率为3.42，SiO₂的折射率为1.5，入射光的波长为589.3nm，观察到7条暗纹(图21-13)。问SiO₂薄膜的厚度e是多少？

A.氯离子

B.硅原子

C.磷离子

D.磷原子

A.1 cm

B.2 cm

C.3 cm

D.4 cm

A.热处理

B.清洗

C.研磨

D.腐蚀抛光

A.热处理

B.清洗

C.研磨

D.腐蚀抛光

A、澄清水

B、自来水

C、软化水

D、纯水