题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
下列关于PN结整流效应的说法中，错误的是（)。
A.能够将交流电转变成直流电
B.只允许电流从一个方向流过
C.低频整流特性较差
D.高频时，PN结反向阻抗大大降低的原因是由于PN结电容的旁路作用
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A.二极管整流电路利用的是PN结的单向导电特性。
B.PN结的电容效应可用于整流。
C.PN结的反向击穿特性和单向导电特性都可以用于稳压。
D.半导体材料的本征激发特性可用于制造热敏或光敏元件
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第2题
以下关于PN结特性的说法错误的是（）。
A.二极管整流电路利用的是PN结的单向导电特性。
B.PN结的电容效应可用于整流。
C.PN结的反向击穿特性和单向导电特性都可以用于稳压。
D.半导体材料的本征激发特性可用于制造热敏或光敏元件
第3题
关于pn结雪崩击穿，下列说法正确的包括：
A.来自高反向偏压下，pn结中载流子的倍增效应。
B.宽pn结势垒区，有利于产生雪崩击穿。
C.窄pn结势垒区，有利于产生雪崩击穿。
D.pn结势垒区宽度对雪崩击穿没影响。
第4题
关于pn结雪崩击穿，下列说法正确的包括：
A.来自高反向偏压下，pn结中载流子的倍增效应。
B.宽pn结势垒区，有利于产生雪崩击穿。
C.窄pn结势垒区，有利于产生雪崩击穿。
D.pn结势垒区宽度对雪崩击穿没影响。
第5题
关于PN结，说法不正确的是
A.PN结始终具有整流特性
B.平衡PN结中，N型半导体一侧的空间电荷 区是由施主杂质离子构成的
C.正向电压作用下，PN结电容以扩散电容为主 (
D.PN结中自建电场的方向是由N区指向P区
第6题
下列关于PN结隧道击穿的说法中，错误的是（)。
A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿
B.隧道击穿也称齐纳击穿
C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中
D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负
第7题
关于多晶硅和非晶硅电池，以下说法错误的是（)
A.在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。
B.非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。
D.与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应)，但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
第8题
3、下列关于PN结的说法中，错误的是（）。
A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上
B.对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展
C.平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等
D.平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似
