题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

在图3.24所示电路中，已知G1和G2为74LS系列OC输出结构的与非门，输出管截止时的漏电流最大值为IOH（max)=100μA

在图3.24所示电路中，已知G₁和G₂为74LS系列OC输出结构的与非门，输出管截止时的漏电流最大值为I_OH(max)=100μA，低电平输出电流最大值为I_OL(max)=8mA，这时输出的低电平为V_OL(max)=0.4V。G₃～G₆是74LS系列的或非门，它们高电平输入电流最大值为I_IH(max)=20μA，低电平输入电流最大值为I_IL(max)=-0.4mA。给定V_CC=5V，要求满足V_OH≥3.4V、V_OL≤0.4V，试求R_L取值的允许范围。

在图3.24所示电路中，已知G1和G2为74LS系列OC输出结构的与非门，输出管截止时的漏电流最大值

查看答案

如搜索结果不匹配，请联系老师获取答案

您可能会需要：

重置密码查看订单联系客服

安装赏学吧APP，拍照搜题省时又省心！

更多“在图3.24所示电路中，已知G1和G2为74LS系列OC输出…”相关的问题

第1题

在图（a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器，VDD=15V。（1)试计算电路的正

在图(a)所示的施密特触发器电路中，已知R₁=10kΩ，R₂=30kΩ。G₁和G₂为CMOS反相器，V_DD=15V。

在图（a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器，

(1)试计算电路的正向阈值电压V_T+、负向阈值电压V_T+和回差电压△V_T。

(2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端，试画出输出电压的波形。

点击查看答案

第2题

在图题9.2.1所示的施密特触发器电路中，已知R₁=10kΩ，R₂=20kΩ。G₁、G₂为（1)试计算

在图题9.2.1所示的施密特触发器电路中，已知R₁=10kΩ，R₂=20kΩ。G₁、G₂为

在图题9.2.1所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=20kΩ。G1、G2为（1)试计

(1)试计算电路的正向阈值电压V_T+、负向阈值电压V_T-和回差电压ΔV_T。

(2)若电路的输入信号v₁波形如图题9.2.1(b)所示，试画出相应的输出电压v₀的波形。

点击查看答案

第3题

在图P10.3（a)所示的施密特触发器电路中,已知R₁=10kΩ,R₂=30kΩ.G₁和G₂为CMOS反

在图P10.3(a)所示的施密特触发器电路中,已知R₁=10kΩ,R₂=30kΩ.G₁和G₂为CMOS反相器在图P10.3（a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ.G1和G2为CMO .

(1)试计算电路的正向阈值电压在图P10.3（a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ.G1和G2为CMO 、负向阈值电压和回差电压.

(2)若将图P10.3(b)给出的电压信号加到图P10.3(a)电路的输人端,试画出输出电乐的波形.

在图P10.3（a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ.G1和G2为CMO

点击查看答案

第4题

在图P3.24所示电路中,已知G₁和G₂为741S系列OC输出结构的与非门,输出管截止时的漏电流

最大值为

μA,低电平输出电流最大值为在图P3.24所示电路中,已知G1和G2为741S系列OC输出结构的与非门,输出管截止时的漏电流最大

=8mA,这时输出的低电平为在图P3.24所示电路中,已知G1和G2为741S系列OC输出结构的与非门,输出管截止时的漏电流最大

是74LS系列的或非门,其高电平输入电流最大值为在图P3.24所示电路中,已知G1和G2为741S系列OC输出结构的与非门,输出管截止时的漏电流最大

低电平输入电流最大值为在图P3.24所示电路中,已知G1和G2为741S系列OC输出结构的与非门,输出管截止时的漏电流最大

给定

要求满足

试求 R_L取值的允许范围.

在图P3.24所示电路中,已知G1和G2为741S系列OC输出结构的与非门,输出管截止时的漏电流最大

点击查看答案

第5题

在图10.12所示的对称式多谐振荡器电路中，若RF1=RF2=1kΩ，C1=C2=0.1μF，G1和G2为74LS04（六反相器)中的两个反相

在图10.12所示的对称式多谐振荡器电路中，若R_F1=R_F2=1kΩ，C₁=C₂=0.1μF，G₁和G₂为74LS04(六反相器)中的两个反相器，G₁和G₂的V_OH=3.4V，V_TH=1.1V，V_IK=-1.5V，R₁=20kΩ，求电路的振荡频率。

在图10.12所示的对称式多谐振荡器电路中，若RF1=RF2=1kΩ，C1=C2=0.1μF，G1和

点击查看答案

第6题

在图P3.26（a)所示电路中已知三极管导通时饱和压降,饱和导通内阻为三极管的电流放大系数β=100.

在图P3.26(a)所示电路中已知三极管导通时在图P3.26（a)所示电路中已知三极管导通时饱和压降,饱和导通内阻为三极管的电流放大系数β=100 饱和压降,饱和导通内阻为三极管的电流放大系数β=100.OC门G₁输出管截止时的漏电流约为50μA,导通时允许的最大负载电流为16mA,输出低电平≤0.3V. 在图P3.26（a)所示电路中已知三极管导通时饱和压降,饱和导通内阻为三极管的电流放大系数β=100 均为74系列TTL电路,其中G₂为反相器,G₃和G₄是与非门,G₅是或非门,它们的输入特性如图P3.26(b)所示.试问

(1)在二极管集电极输出的高、低电压满足在图P3.26（a)所示电路中已知三极管导通时饱和压降,饱和导通内阻为三极管的电流放大系数β=100 的条件下,R_N的取值范围有多大？

(2)若将OC门改成推拉式输出的TTL门电路,会发生什么问题？

在图P3.26（a)所示电路中已知三极管导通时饱和压降,饱和导通内阻为三极管的电流放大系数β=100

点击查看答案

第7题

图2.3.5所示电路中，（a)图中的G1、G2均为CMOS门电路；（b)图中G1、G2和G3均为TTL门电路，G4为CMOS门电路。试写出Y1

图2.3.5所示电路中，(a)图中的G₁、G₂均为CMOS门电路；(b)图中G₁、G₂和G₃均为TTL门电路，G₄为CMOS门电路。试写出Y₁和Y₂的逻辑表达式。

图2.3.5所示电路中，（a)图中的G1、G2均为CMOS门电路；（b)图中G1、G2和G3均为TT

点击查看答案

第8题

在图10-6非对称式多谐振荡器电路中,已知G₁和G₂为74系列反相器7404,它们的输出高电平,

在图10-6非对称式多谐振荡器电路中,已知G₁和G₂为74系列反相器7404,它们的输出高电平在图10-6非对称式多谐振荡器电路中,已知G1和G2为74系列反相器7404,它们的输出高电平,在图 ,输出低电平阈值电压输入钳位电压,内部电阻给定R=1.5kΩ,C=0.01μF,试求电路的振荡频率.

在图10-6非对称式多谐振荡器电路中,已知G1和G2为74系列反相器7404,它们的输出高电平,在图

点击查看答案

第9题

在图3.9所示电路中，G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HC03。74HC03输出端MOS管截止时的漏电流为IOH（max)=5μA

在图3.9所示电路中，G₁和G₂是两个OD输出结构的与非门74HC03。74HC03输出端MOS管截止时的漏电流为I_OH(max)=5μA；导通时允许的最大负载电流为I_OL(max)=5.2mA，这时对应的输出电压V_OL(max)=0.33V。负载门G₃～G₅是3输入端或非门74HC27，每个输入端的高电平输入电流最大值为I_IH(max)=1μA，低电平输入电流最大值为I_IL(max)=-1μA。试求在V_DD=5V，并且满足V_OH≥4.4V、V_OL≤0.33V的情况下，R_L取值的允许范围。