题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

在图3.9所示电路中，G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HC03。74HC03输出端MOS管截止时的漏电流为IOH（max)=5μA

在图3.9所示电路中，G₁和G₂是两个OD输出结构的与非门74HC03。74HC03输出端MOS管截止时的漏电流为I_OH(max)=5μA；导通时允许的最大负载电流为I_OL(max)=5.2mA，这时对应的输出电压V_OL(max)=0.33V。负载门G₃～G₅是3输入端或非门74HC27，每个输入端的高电平输入电流最大值为I_IH(max)=1μA，低电平输入电流最大值为I_IL(max)=-1μA。试求在V_DD=5V，并且满足V_OH≥4.4V、V_OL≤0.33V的情况下，R_L取值的允许范围。

在图3.9所示电路中，G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HC03。74HC03输出端MOS管截

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第1题

在图10.12所示的对称式多谐振荡器电路中，若RF1=RF2=1kΩ，C1=C2=0.1μF，G1和G2为74LS04（六反相器)中的两个反相

在图10.12所示的对称式多谐振荡器电路中，若R_F1=R_F2=1kΩ，C₁=C₂=0.1μF，G₁和G₂为74LS04(六反相器)中的两个反相器，G₁和G₂的V_OH=3.4V，V_TH=1.1V，V_IK=-1.5V，R₁=20kΩ，求电路的振荡频率。

在图10.12所示的对称式多谐振荡器电路中，若RF1=RF2=1kΩ，C1=C2=0.1μF，G1和

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第2题

在图P3.9所示电路中,G₁和G₂是两个OD输出结构的与非门74HCO3、74HCO3输出端MOS管截止时

的漏电流为

导通的允许的最大负载电流为在图P3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HCO3、74HCO3输出端MOS管

这时对应的输出电压负在图P3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HCO3、74HCO3输出端MOS管

载门

是二输入端或非门74HC27,锤个输入端的高电中输入电流最大值为在图P3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HCO3、74HCO3输出端MOS管

低电平输入电流最大值为在图P3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HCO3、74HCO3输出端MOS管

试求在

并且满足

的情况下,R₂取值的允许范围.

在图P3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HCO3、74HCO3输出端MOS管

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第3题

在图（a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器，VDD=15V。（1)试计算电路的正

在图(a)所示的施密特触发器电路中，已知R₁=10kΩ，R₂=30kΩ。G₁和G₂为CMOS反相器，V_DD=15V。

在图（a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器，

(1)试计算电路的正向阈值电压V_T+、负向阈值电压V_T+和回差电压△V_T。

(2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端，试画出输出电压的波形。

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第4题

在图题9.2.1所示的施密特触发器电路中，已知R₁=10kΩ，R₂=20kΩ。G₁、G₂为（1)试计算

在图题9.2.1所示的施密特触发器电路中，已知R₁=10kΩ，R₂=20kΩ。G₁、G₂为

在图题9.2.1所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=20kΩ。G1、G2为（1)试计

(1)试计算电路的正向阈值电压V_T+、负向阈值电压V_T-和回差电压ΔV_T。

(2)若电路的输入信号v₁波形如图题9.2.1(b)所示，试画出相应的输出电压v₀的波形。

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第5题

在图P10.3（a)所示的施密特触发器电路中,已知R₁=10kΩ,R₂=30kΩ.G₁和G₂为CMOS反

在图P10.3(a)所示的施密特触发器电路中,已知R₁=10kΩ,R₂=30kΩ.G₁和G₂为CMOS反相器在图P10.3（a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ.G1和G2为CMO .

(1)试计算电路的正向阈值电压在图P10.3（a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ.G1和G2为CMO 、负向阈值电压和回差电压.

(2)若将图P10.3(b)给出的电压信号加到图P10.3(a)电路的输人端,试画出输出电乐的波形.

在图P10.3（a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ.G1和G2为CMO

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第6题

图2.3.5所示电路中，（a)图中的G1、G2均为CMOS门电路；（b)图中G1、G2和G3均为TTL门电路，G4为CMOS门电路。试写出Y1

图2.3.5所示电路中，(a)图中的G₁、G₂均为CMOS门电路；(b)图中G₁、G₂和G₃均为TTL门电路，G₄为CMOS门电路。试写出Y₁和Y₂的逻辑表达式。

图2.3.5所示电路中，（a)图中的G1、G2均为CMOS门电路；（b)图中G1、G2和G3均为TT

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第7题

在图3.24所示电路中，已知G1和G2为74LS系列OC输出结构的与非门，输出管截止时的漏电流最大值为IOH（max)=100μA

在图3.24所示电路中，已知G₁和G₂为74LS系列OC输出结构的与非门，输出管截止时的漏电流最大值为I_OH(max)=100μA，低电平输出电流最大值为I_OL(max)=8mA，这时输出的低电平为V_OL(max)=0.4V。G₃～G₆是74LS系列的或非门，它们高电平输入电流最大值为I_IH(max)=20μA，低电平输入电流最大值为I_IL(max)=-0.4mA。给定V_CC=5V，要求满足V_OH≥3.4V、V_OL≤0.4V，试求R_L取值的允许范围。