电路如图3－21所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出Av、Ri和Ro的表达式。

已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示.求解电路的Q点和A_u.

一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,试设计该电路.

已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示.

(1)利用图解法求解Q点;

(2)利用等效电路法求解A_u、R_i和R₀.

图P2.21

场效应管放大电路如图3-2所示，已知电源电压等于5V，场效应管开启电压为2V，

(1)说明该放大器偏置电路如何稳定静态工作点？

(2)这种偏置电路是否适用于耗尽型场效应管放大电路？为什么？

(3)设ID=1 mA，求的值。

电路如图LPS4-6(a)所示,已知场效应管T₁型号为M2N6756,T₂型号为M2N6806,

试画出电路传输特性.若υ₁为正5V直流电压上叠加幅度10mV、频率1kHz的正弦信号,试画输出信号波形,并分析两管是否工作在饱和区.

场效应管工作点稳定电路如图2-26所示。已知：U_p=-4V，I_DSS=1mA，U_DD=16V，R_g1=160kΩ，R_g2=40kΩ，R_g3=1MΩ，R_d=10kΩ，R_s=8kΩ，R_L=1MΩ，试计算：

(1) 静态工作点Q(I_D，U_GS，U_DS)；

(2) 输入电阻R_i和输出电阻R_o；

(3) 电压放大倍数A_u。

场效应管参数为K_n1=K_n2=1.2mA/V₂，V_TN1= V_TN2=1.9V，λ₁=λ₂=0。试求该电路的电压增益。

在图3-21(a)的电路中，u为一阶跃电压，如图3-21(b)所示，试求i₃和u_c。设u_c(0_-)=1V。

165千欧，R_g2=35千欧，V_TS=0.8V，K_n=1mA/V₂， 场效应管的输出电阻r_ds=∞(λ=0)，电路静态工作点处V_GS=1.5V。试求图题4.4.1a所示共源极电路的小信号电压增益A_r=v₀/v_i、源电压增益A_ds=v₀/v_e、输入电阻R_i和输出电阻R₀。

)所示。电路参数为，R_g1=180千欧，R_g2=60千欧，R_d=10千欧，R_L=20千欧，V_DD=10V。(1)试用图解法作出直流负载线，决定静态点Q值;(2)作交流负载线;(3)当v_i=0.5sinwt(V)时求出相应的v₀波形和电压增益。