一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,试设计

双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图3-10所示，已知V_GS(th)，=2V，μ_nC_ox=200μA/V²，W=40μm，l=10μm。设λ=0，要求I_D=0.4mA，V_D=1V，试确定R_D、R_S值。

电路如下图所示，NMOS管的参数为：V_T=1V，K_N=50μA/V²，λ=0，PMOS管的参数为：V_T=-1V，K_P=25μA/V²，λ=0，设全部管子均工作于饱和区，试求R、I₃和I₄的值。各管的W/L值

电路如图LPS4-6(a)所示,已知场效应管T₁型号为M2N6756,T₂型号为M2N6806,

试画出电路传输特性.若υ₁为正5V直流电压上叠加幅度10mV、频率1kHz的正弦信号,试画输出信号波形,并分析两管是否工作在饱和区.

在下图所示的电路中，试判断场效应管分别工作在哪个工作区(饱和区、截止区、变电阻区或恒流状态)？

共基极电路如图2-24所示。射极电路里接入一恒流源，设β=100，R_s=0，R_L=∞。试确定电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。

场效应管参数为K_n1=K_n2=1.2mA/V₂，V_TN1= V_TN2=1.9V，λ₁=λ₂=0。试求该电路的电压增益。

下图所示的电路中，已知N沟道结型场效应管的I_DSS=2mA，U_GS(off)=-4V，计算I_D和U_DS的值。

电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示，设场效应管的参数为g_m1=0.7mS，λ₁=λ₂=0.01V^-1。场效

应管静态工作时的偏置电流I_REF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益A_e。