PFM基底冠的打磨处理中错误的是
A.用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物
B.用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物
C.打磨时用细砂针多方均匀的打磨出金瓷结合部要求的外形
D.禁止使用橡皮轮磨光
E.用50~100pm的氧化铝喷砂
A.用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物
B.用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物
C.打磨时用细砂针多方均匀的打磨出金瓷结合部要求的外形
D.禁止使用橡皮轮磨光
E.用50~100pm的氧化铝喷砂
第1题
B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物
C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形
D、禁止使用橡皮轮磨光
E、用50~100μm的氧化铝喷砂
PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同
E、理想的氧化膜厚度为0.2~2μm
第2题
PFM冠金属基底上瓷前用橡皮轮打磨可引起
A.PFM冠金属基底变形,冠边缘不密合
B.PFM冠变色
C.PFM冠瓷裂
D.PFM冠金属基底不能产生均一厚度的氧化膜
E.PFM冠透明度下降
第3题
A.瓷粉堆塑时混入气泡
B.烧烤时升温速度过快,抽真空速率过慢
C.烤瓷炉密封圈处有异物,影响真空度
D.基底冠表面多方向打磨
E.瓷粉中混入杂质
第4题
下列选项不是PFM烧烤后在牙本质、切端层中出现气泡的可能原因的是
A、瓷粉堆塑时混入气泡
B、烧烤时升温速度过快,抽真空速率过慢
C、烤瓷炉密封圈处有异物,影响真空度
D、基底冠表面多方向打磨
E、瓷粉中混入杂质
第5题
下列选项不是PFM烧烤后在牙本质、切端层中出现气泡的可能原因()。
A、瓷粉堆塑时混入气泡
B、烧烤时升温速度过快,抽真空速率过慢
C、烤瓷炉密封圈处有异物,影响真空度
D、基底冠表面多方向打磨
E、瓷粉中混人杂质
第6题
A.用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物
B.用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物
C.一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
D.使用橡皮轮磨光金属表面
E.防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
第7题
A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物
B、用钨钢钻磨除贵金属表面的氧化物
C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
D、使用橡皮轮磨光金属表面
E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
第8题
A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物
B、用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物
C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
D、使用橡皮轮磨光金属表面
E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
第9题
A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物
B、用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物
C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
D、使用橡皮轮磨光金属表面
E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
第10题
PFM冠牙本质、切端层出现一小气泡的最佳处理方法
A、从基底冠开始,重新制作
B、去除整个瓷面,基底冠处理后重新上瓷
C、切瓷,清洁后重新构筑体瓷、切瓷
D、切瓷与修补瓷的混合瓷,进炉烧烤
E、增高温度,再进炉烧烤
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