题目内容
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[主观题]
用存储容量为16K╳1位的存储器芯片来组成一个64K╳8位的存储器，则在字方向和位方向分别扩展了（）倍
A．4，2
B．8，4
C．2，4
D．4，4
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A．4、2
B．8、4
C．2、4
D．4、8
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第2题
用16k×8位的SRAM芯片构成64K×16位的存储器，要求画出该存储器的组成逻辑框图。存储器容量为64K
×16位，其地址线为16位(A15—A0)，数据线也是16位(D15—D0)SRAM芯片容量为16K×8位，其地址线为14位，数据线为8位，因此组成存储器时须字位同时扩展。
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第4题
假定用若干个16K×1位的存储器芯片组成一个64K×8位的存储器,芯片内各单元连续编址,则地址BFFOH所在的芯片的最小地址为（)。
A.6000H
B.4000H
C.8000H
D.A000H
第5题
用1 K×4位的存储芯片组成容量为64K×8位的存储器，共需________片，若将这些芯片分装在几块板上，设
每块板的容量为16K×8位，则该存储器所需的地址码总位数是________，其中________位用于选板，________位用于选片，________位用于存储芯片的片内地址。
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第6题
设用2K×4位的存储器芯片组成16K×8位的存储器（地址单元为0000H～3FFFH，每个芯片的地址空间连续)，则
设用2K×4位的存储器芯片组成16K×8位的存储器(地址单元为0000H～3FFFH，每个芯片的地址空间连续)，则地址单元0B1FH所在芯片的最小地址编号为______。
A．0000H
B．2800H
C．2000H
D．0800H
第7题
用16K×1位的DRAM芯片构成64K×8位的存储器，设存储器的读写周期为0.5μs，要使CPU在1μs内至少访问存储器一次，问采用哪种刷新方式比较合适？若每行刷新间隔不超过2ms，该方式下刷新信号的间隔是多少？
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第9题
某趾M芯片，其存储容量为16K×8位，则该芯片引出线的最小数目应为（3)。存储器芯片的地址范围是（4)。A．
某趾M芯片，其存储容量为16K×8位，则该芯片引出线的最小数目应为(3)。存储器芯片的地址范围是(4)。
A．8
B．14
C．16
D．26
第10题
用容量为16K？8位的存储器芯片构成地址从0A0000H到0BFFFFH的8位存储器，应该使用A.8片B.10片C.16片
用容量为16K？8位的存储器芯片构成地址从0A0000H到0BFFFFH的8位存储器，应该使用
A.8片
B.10片
C.16片
D.20片
