用16K×1位的DRAM芯片构成64K×8位的存储器，设存储器的读写周期为0.5μs，要使CPU在1μs内至少访问存储器一次，问采用哪种刷新方式比较合适？若每行刷新间隔不超过2ms，该方式下刷新信号的间隔是多少？

用16K ´8位的DRAM芯片来构成64K ´32位的存储器，请画出该存储器的组成逻辑图。

用16K×1位的存储芯片，构成64K×8位的存储器，需要()片芯片。

有一64K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成。读写周期为0.5us。如采用异步刷新方式，假设单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是（）。

有一16K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成（内部结构64× 64）。读写周期为0.5ms。问： （1）总共需要多少DRAM芯片？ （2）如采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？（3）如采用集中刷新方式，对全部存储单元刷新一遍，最少需要多少读/写周期？死区率是多少？

有一64K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成（内部结构64× 64）。读写周期为0.5us。问：（）总共需要多少DRAM芯片？（）如采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？（）如采用集中刷新方式，对全部存储单元刷新一遍，最少需要多少读/写周期？死区率是多少

有一64K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成（内部结构64× 64）。读写周期为0.5us。问： （1）总共需要多少DRAM芯片？ （2）如采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ （3）如采用集中刷新方式，对全部存储单元刷新一遍，最少需要多少读/写周期？死区率是多少？

有一16K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成（内部结构64× 64）。读写周期为0.5ms。问：（）总共需要多少DRAM芯片？（）如采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？（）如采用集中刷新方式，对全部存储单元刷新一遍，最少需要多少读/写周期？死区率是多少

用64K×1位的DRAM芯片构成1M×8位的存储器，若采用异步刷新，若每行刷新间隔不超过2ms，则产生刷新信号的间隔是多少时间？若采用集中刷新方式，则存储器刷新一遍最少用多少个读写周期？CPU的死时间为多少？（假定存储器的读写时间为0.5μs)

假定用若干个16K×1位的存储器芯片组成一个64K×8位的存储器，芯片内各单元连续编址，则地址BFF0H所在的芯片的最小地址为（H）。

组合一个32KB内存，采用( )组件来组合最适合。