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[主观题]
电路如图P5.10所示,已知, 试求fH、fL各约为多少,并写出的表达式.
电路如图P5.10所示,已知
,
试求fH、fL各约为多少,并写出
的表达式.
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电路如题3-16图所示，已知Cgs=Cgd=5pF，gm=5mS，C1=C2=Cs=10μF。试求fH、fL各约为多少，并写出
的表达式。
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第1题
电路如题3－16图所示，已知Cgs=Cgd=5pF，gm=5mS，C1=C2=Cs=10μF。试求fH、fL各约为多少，并写出的表达式。
第2题
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第3题
两级功放原理电路如图NP1-17所示。试：(1)简述电路工作原理;(2)已知VCC-VEF|，各管VBE
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第4题
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E(on)
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第5题
电路如图16－24所示，已知ui=0.5V，R1=R2=10kΩ，R3=2kΩ，试求uo。
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第6题
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比例式电流源电路如图4-59所示，已知各晶体管特性一致，VBE(on)=0.7V，β=100，|VA|=120V，试求IC1、IC3和T3侧的输出交流电阻Ro3。
第7题
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第10题
电路如图3－21所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出Av、Ri和Ro的表达式。
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图3-21
第11题
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已知电路如图a所示，I1=10A，I2=14.14A，R1=5Ω，R2=XL，U=200V，试求：I、R2、XC和XL
