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[判断题]

在非关键区:芯片的崩边沿切割边角单个尺寸>50um为不良()

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第2题

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第4题

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第5题

双铣刀的配合工作是为了防止边角崩缺()
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第6题

‏在设计大扇入电路时,可以采取多种技术来降低其电路延时,以下不是降低延时的方法是()。‌

A.将关键路径上的晶体管调整至靠近门的输入端

B.调整晶体管尺寸

C.逐级加大晶体管尺寸

D.变换逻辑来减少单个门的输入信号个数

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第7题

相对于正常的砖所产生的不规则变化是()

A.开裂

B.凸凹边

C.崩边角

D.变形

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第8题

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第9题

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华为产品在发现背崩时必须顶取芯片测量背崩以及侧崩大小。()
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