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华为产品在发现背崩时必须顶取芯片测量背崩以及侧崩大小。()

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第1题

崩单晶异常,指当崩缺伤及芯片有效区域时,视为不良。()
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第2题

上芯后兰膜检查项目有哪些()。

A.顶针孔是否有顶破兰膜

B.顶针孔位置是否位于芯片中心

C.兰膜上是否有硅渣及背崩残留

D.是否漏好芯片

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第3题

芯片边缘崩缺伤及芯片表面有效区域为不良。()
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第4题

在进行锯割操作时,当发现锯齿崩断时,()应停锯处理。

A.锯条崩断时

B.崩断一个齿就

C.崩断多个齿

D.继续锯割不

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第5题

下料时必须检查崩边、缺角等不良品。()
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第6题

上芯后兰膜的检查目的是为了预警崩单晶、翘片、沾污、漏芯片。()
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第7题

关于进步崩拳与顺步崩拳的相同之处说法不正确的是()。

A.两种崩拳出拳时都是拳心朝上

B.两种崩拳出拳时都需要有一边的前臂收与腰侧

C.两种崩拳都需要目视打出的拳的方向

D.两种崩拳打出时都是同手同脚(如果出右拳则上右脚)的

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第8题

以下属于引线框架缺陷的有()。

A.背银片

B.翘片

C.崩单晶

D.管脚变形

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第9题

更换吸嘴后,加工的第一条产品需要在显微镜下检查:()

A.有无崩单晶,崩边

B.顶针印

C.芯片表面压伤,划伤

D.有无粘接错位,翘片,带管芯

E.芯片沾污

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第10题

在加工脆性材料时,背吃刀量较大,刀具前角较小时,会产生()。

A.带状切屑

B.挤裂切屑

C.崩碎切屑

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