设用输出特性如图题5.3.1所示的BJT 连接成图题5.3.2所示的电路，在基极用V_BB=3.2V和电阻R

设输出特性如图题4.3.1所示的BJT接成图题4.3.2所示的电路，其基极端上接V_BB=3.2V与电阻R_b=20kΩ串联，而V_CC=6V，R_c=200Ω，求电路中的I_BQ、I_CQ和V_CEQ的值。设V_BEQ=0.7V。

若将图题4.3.1所示输出特性的BJT接成图题4.3.2所示的电路，并设V_CC=12V，R_c=1kΩ，在基极电路中用V_BB=2.2V和R_b=50kΩ串联以代替电流源i_B。求该电路中的I_BQ、I_CQ和V_CEQ的值。设V_BEQ=0.7V。

设输出特性如图题4.3.1所示的BJT接入图题4.3.2所示的电路，图中V_CC=15V，R_c=1.5kΩ，i_B=20μA，求该器件的Q点。

放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻R_s1=0，BJT的型号为2N3904，β=100，电路其他参数：R_e=3.3千欧，R_e=1.3千欧，R_b1=33千欧，R_b2=10千欧，R_L=5.1千欧，C_b1=C_b2=10μF，C_e=50μ_F，V_CC=12V。试求：集电结电容C_b在1~10p_F之间变化时，上限频率fH的变化范围。

设PNP型硅BJT的电路如图题4.3.6所示。问v_B在什么变化范围内，使T工作在放大区？令β=100。

2)|V_im|=10mV，且f=f_L则|V_om|等于多少？V₀与V₁间的相位差是多少？

等效电路;(3)估算BJT的输入电阻r_be;(4)如输出端接入4千欧的负载电阻，计算A_e=v₀/v_i及A_en=v₀/v_s。

BJT的输出特性如图题5.3.1所示。求该器件的β值;当i_C=10mA和i_C=20mA时，管子的饱和压降V_CES为多少？

BJT的输出特性如图题4.3.1所示。(1)求该器件的β值；(2)当i_C=10mA和i_C=20mA时，管子的饱和压降V_CES为多少？