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[单选题]

pn结的p区导带和价带的能量比n区()。

A.高

B.高

C.低

D.低

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第1题

PN结反向偏置时,应该是N区的电位比P区的电位()

A.高

B.低

C.不变

D.不确定

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第2题

在一定温度下,以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是()。

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料

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第3题

当载流子积累的能量超过禁带宽度时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带,从而产生一对新的电子空穴对,这就是碰撞电离过程,其主要发生在反偏PN结的()中。

A.中性区

B.欧姆电极

C.耗尽区

D.扩散区

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第4题

当在PN结上加正向电压,PN结()。

A.呈现低电阻,处于截止状态

B.呈现高电阻,处于导通状态

C.呈现高电阻,处于截止状态

D.呈现低电阻,处于导通状态

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第5题

未加外部电压时,PN结中电流()

A.只从P区流向N区

B.只从N区流向P区

C.等于零

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第6题

PN结光生伏特效应()。

A.A. 电子集中的P区

B.B. 电子集中的N区结表面

C.C. 电子集中的P区表面

D.D. 电子集中的N区表面

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第7题

导带底与价带顶之间的能量区域称为()。

A.价带

B.导带

C.禁带

D.能带

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第8题

PN结正偏时,P区接电源的正极,N区接电源的负极。()
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第9题

浙江属于农业气候生产潜力带状分布中的()。A高值区B偏高值区C中值区D低值区

浙江属于农业气候生产潜力带状分布中的()。

A高值区

B偏高值区

C中值区

D低值区

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第10题

PN结正向偏置是指P型区接电源的负极,N型区接电源的正极。()
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