题目内容
（请给出正确答案）
[多选题]
为了实现CCD的信号电荷转换的功能，需满足以下条件（)。
A.MOS电容阵列的排列足够紧密以致相邻的MOS电容势阱相互耦合
B.通过控制相邻MOS电容栅极电压高低来调整势阱深浅
C.CCD中电荷的转移必须按照确定的方向
D.MOS阵列上所加的各路电压脉冲必须严格满足相位要求
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A.刷新
B.存储
C.充电
D.放电
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第3题
下列有关CCD信号电荷注入的叙述，正确的有（)。
A.CCD在用作图象传感器时，信号电荷通过电注入方式得到
B.CCD在用作图象传感器时，信号电荷通过光注入方式得到
C.CCD在用作信号处理或存储器件时，电荷输入采用电注入
D.CCD在用作信号处理或存储器件时，电荷输入采用光注入
第5题
以衬底为p型的理想MOS结构为例，当外加电压VG<0时，以下说法正确的是（)。
A.负偏压较大时，氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大
B.负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关
C.当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小
D.当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小
第8题
关于介电常数以下说法错误的是（)。
A.高介电常数的电介质可以提高电容的电能储存能力
B.介电常数表征材料极化和储存电荷的能力
C.介电常数越大，电容存储的电能越少
D.真空介电常数小于材料的相对介电常数
