题目内容（请给出正确答案）

[多选题]

处于非平衡状态的半导体，应满足以下条件或符合以下特征：（)。

A.有外界作用

B.导带和价带之间没有统一的费米能级

C.载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方

D.导带和价带之间有统一的费米能级

E.不存在非平衡载流子

F.载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方

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第1题

关于“非简并半导体”,以下说法正确的是：（)。

A.导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

B.价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

C.费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

D.导带中的电子服从费米分布函数

E.价带中的空穴服从费米分布函数

F.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带

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第2题

以下关于“简并半导体”的描述正确的是：（)。

A.n型简并半导体，导带中的电子服从费米分布函数

B.p型简并半导体，价带中的空穴服从费米分布函数

C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带

D.n型简并半导体，导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

E.p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

F.费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

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第3题

下列关于费米能级的说法错误的是（)。

A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大

B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近

C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶

D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远

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第4题

以下关于“费米能级的变化”说法正确的是：（)。

A.从室温开始，随温度的升高，费米能级逐渐降低，直至到达本征费米能级

B.费米能级随掺杂浓度的增大向带边(导带底或价带顶)靠近

C.费米能级一直随温度升高而降低

D.费米能级一直随温度升高而增大

E.费米能级随掺杂浓度的增大向上移动

F.费米能级随掺杂浓度的增大向下移动

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第5题

会起到复合中心作用的是Si-SiO2界面态位于（)。

A.费米能级

B.禁带中央

C.导带底附近

D.价带顶附近

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第6题

清洁表面的表面能级处在半导体禁带中的（)位置。

A.中央

B.靠近导带底

C.靠近价带顶

D.靠近导带底或价带顶

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第7题

半导体中施主能级的位置位于（)中。

A.A. 禁带

B.B. 价带

C.C. 导带

D.D. 满带

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第8题

以下关于快态能级的位置正确的是（)。

A.靠近导带底

B.靠近价带顶

C.禁带中央

D.整个禁带中

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第9题

硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是（)，离（)近。

A.施主能级，导带底

B.施主能级，价带顶

C.受主能级，导带底

D.受主能级，价带顶

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第10题

导带底与价带顶之间的能量区域称为（)。

A.价带

B.导带

C.禁带

D.能带

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