题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

结型场效应晶体管根据结构不同分为（)

A.P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

B.P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管

C.N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

D.N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管

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ABCD

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第1题

绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（)

A、P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

B、增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管

C、N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

D、N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

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第2题

结型场效应管可分为（)。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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第3题

栅源电压等于0时没有导电沟道的场效应管是（)。

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

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第4题

畜禽体质的结构类型可以分为细致型体质、粗糙型体质、结实型体质。（)

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第5题

绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。（)

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第6题

P型区和N型区的交界面称为（)。

A.冶金结面

B.表面

C.结面

D.界面

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第7题

PN结型功率二极管的基本结构是半导体PN结，具有单向导电性。（)

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第8题

下列关于三极管的描述正确的是（）

A.有两个PN结,三个区,三个电极

B.有一个PN结，两个电极

C.按结构分为:NNP型和NPP型

D.按材料分为:碳三极管和锗三极管

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第9题

p沟耗尽型MOS管的阈值电压为（)，达到阈值电压后，表面为（)状态。

A.正值，强反型

B.正值，导电沟道消失

C.负值，强反型

D.负值，导电沟道消失

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第10题

数据类型构造类型有枚举型、共用型和结构型（)

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第11题

所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体。（)

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