对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？（)

A.少子反型

B.多子积累

C.多子耗尽

D.本征状态

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

A.平坦能带状态

B.少子反型状态

C.深耗尽状态

D.本征状态

A.越高

B.越低

C.不变

D.无法判断

A.正比

B.反比

C.相等

D.以上都不对

A.人口年轻化

B.人口老龄化

C.多子化

D.少子化

A.高阶调制

B.多子载波复用

C.Nyquist频谱整形

D.1588V2

A.减小少子寿命

B.减小结面积

C.减小掺杂浓度

D.减小正向直流偏压