题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？（)

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

单选题，请选择你认为正确的答案：

ABCD

提交

如搜索结果不匹配，请联系老师获取答案

您可能会需要：

重置密码查看订单联系客服

安装赏学吧APP，拍照搜题省时又省心！

更多“对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽…”相关的问题

第1题

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是？（)

A.平坦能带状态

B.少子反型状态

C.深耗尽状态

D.本征状态

点击查看答案

第2题

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时，处于哪种状态？（)

A.少子反型

B.多子积累

C.多子耗尽

D.本征状态

点击查看答案

第3题

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？（)

A.多子积累

B.少子积累

C.多子耗尽

D.少子反型

点击查看答案

第4题

在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于（)状态，（)导电沟道。

A.积累，无

B.耗尽，无

C.反型，有

D.积累，有

点击查看答案

第5题

p沟耗尽型MOS管的阈值电压为（)，达到阈值电压后，表面为（)状态。

A.正值，强反型

B.正值，导电沟道消失

C.负值，强反型

D.负值，导电沟道消失

点击查看答案

第6题

在外界的作用下，直流电动机电枢外加电压和感应电动势的极性相同的这种工作状态称为（)。

A.反接制动状态

B.反馈制动状态

C.能耗制动状态

D.加速状态

点击查看答案

第7题

N型半导体界面附近的固定正电荷会使界面一层成为（)状态。

A.积累

B.耗尽

C.反型

D.p+

点击查看答案

第8题

电动机的制动:实质上就是指电动机从某一稳定运行状态减速到另外一种稳定运行状态的过渡过程。（)

点击查看答案

第9题

n沟增强型MOS管在栅压为零时，由于氧化层中正电荷的作用，半导体表面为（)状态，开启电压为（)。

A.积累，正值

B.耗尽，正值

C.积累，负值

D.耗尽，负值

点击查看答案

第10题

三极管处于放大状态时，其集电结处于（)。

A.反偏

B.正偏

C.无偏压

点击查看答案

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

为了保护您的账号安全，请在“赏学吧”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！

微信搜一搜

赏学吧

点击打开微信

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

抱歉，您的账号因涉嫌违反赏学吧购买须知被冻结。您可在“赏学吧”微信公众号中的“官网服务”-“账号解封申请”申请解封，或联系客服。

微信搜一搜

赏学吧

点击打开微信