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[单选题]

沟蚀的严重程度取决于()。

A.沟谷面积

B.沟道比降

C.沟壑密度

D.沟道长度

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第1题

《土壤侵蚀分类分级标准》(SL190-2007)规定,沟蚀强度以()为判别指标进行分级。

A.侵蚀模数

B.沟道比降

C.沟壑密度

D.沟谷占坡面面积比

E.林草盖度

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第2题

沟壑密度的计算公式为:流域平均沟壑密度=()。

A.流域沟道总长度/沟谷面积

B.流域沟道总长度/流域总面积

C.流域主沟道总长度/流域总面积

D.流域总面积/流域沟道总长度

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第3题

沟壑密度系指项目区单位面积内侵蚀沟的()。

A.长度

B.密度

C.数量

D.面积

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第4题

《土壤侵蚀分类分级标准》(SL190-2007)规定以沟壑密度或沟谷占坡面面积比为判别指标,将沟蚀强度分为()。

A.轻度、中度、强烈、极强烈、剧烈

B.轻度、中度、强烈、极强烈

C.轻度、中度、强烈、剧烈

D.微度、轻度、中度、强烈、剧烈

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第5题

短沟道效应会引起的变化是()。

A.沟道长度减小,阈值电压增大

B.沟道长度减小,阈值电压减小

C.沟道长度减小,阈值电源不变

D.沟道长度减小,阈值电压不一定

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第6题

n沟增强型MOSFET源端接地,工作在可调电阻区时,以下说法错误的是()。

A.可调电阻区的电压范围为

B.近漏处比近源处的沟道厚度要小

C.此时沟道区呈现电阻特性,电流与基本上是线性关系

D.越大,漏端沟道越来越薄,沟道电阻越大

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第7题

长沟道器件的源漏电流与沟道长度的倒数成正比。()
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第8题

设一n沟增强型管VTH=2V,VGS=6V,源端接地,以下说法正确的是()。

A.VDS=0V时,沟道中各点电位相同,沟道厚度各处相同,IDS=0

B.VDS=2V时,漏端沟道厚度比源端厚,但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时,源端沟道越来越薄,IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时,沟道进入夹断的临界状态,MOS管由导通变为截止

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第9题

在土石山区,由沟蚀形成的沟壑称为侵蚀沟。()
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第10题

制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度,以防在栅压为零时就出现导电沟道。()
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