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[主观题]

光生伏特效应必须在P-N节构成的光电二极管上诞生

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第1题

光生伏特效应必须在P-N节构成的光电二极管上诞生

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第2题

画图说明PN结光生伏特效应过程

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第3题

影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些？为什么PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107Hz？怎样提高硅光电二极管的频率响应？

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第4题

影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些？为什么PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107Hz？怎样提高硅光电二极管的频率响应？

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第5题

影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些？为什么PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107Hz？怎样提高硅光电二极管的频率响应？

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第6题

【判断题】基于光生伏特效应的光电器件有光电二极管、光电三极管和光电池。（)

A.Y.是

B.N.否

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第7题

（多选）下列光电器件中基于光生伏特效应的有（）。

A.光电池。

B.光电二极管。

C.光敏电阻。

D.光电管。

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第8题

【判断题】光生伏特效应就是半导体材料吸收光能后,在PN结上产生电动势的效应。

A.Y.是

B.N.否

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