A.IGBT是一种场控器件，其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的。
B.IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时，MOS管中形成导电沟，为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通。
C.由于GTR具有电导调制效应，导通电阻小，使得高耐压的IGBT具有很小通态压降。
D.当IGBT的栅极不加信号或施加反压时，MOS管导电沟道消失，晶体管被切断，使得IGBT关断。
如搜索结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“下列关于IGBT的工作原理，说法正确的是（）”相关的问题
第1题
A.IGBT是一种场控器件，其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的
B.IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时，MOS管中形成导电沟，为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通
C.由于GTR具有电导调制效应，导通电阻小，使得高耐压的IGBT具有很小通态压降
D.当IGBT的栅极不加信号或施加反压时，MOS管导电沟道消失，晶体管被切断，使得IGBT关断
第2题
A.MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。
B.MOSFET是场控器件，静态时栅极几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。
C.MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程时间长。
D.MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。
第3题
A.MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。
B.MOSFET是场控器件，静态时栅极几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。
C.MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程时间长。
D.MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。
第4题
A.MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。
B.MOSFET是场控器件，静态时几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。
C.MOSFET是场控器件，静态时需输入大电流，开通关断过程时间长。
D.MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。
第8题
A.IGBT开关速度高于电力MOSFET
B.IGBT是电压驱动型器件
C.电力MOSFET存在二次击穿问题
D.IGBT具有擎住效应
第9题
A.IGBT是电压驱动型器件
B.IGBT具有擎住效应
C.IGBT开关速度高于电力MOSFET
D.电力MOSFET存在二次击穿问题
为了保护您的账号安全，请在“赏学吧”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！
微信搜一搜
赏学吧
微信搜一搜
赏学吧
