A.MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。
B.MOSFET是场控器件，静态时栅极几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。
C.MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程时间长。
D.MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。
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第1题
A.IGBT开关速度高于电力MOSFET
B.IGBT是电压驱动型器件
C.电力MOSFET存在二次击穿问题
D.IGBT具有擎住效应
第2题
A.IGBT开关速度高于电力MOSFET
B.IGBT是电压驱动型器件
C.电力MOSFET存在二次击穿问题
D.IGBT具有擎住效应
第3题
A.降压型半波零电压开关准谐振电路开关管在任何时刻开通都能实现零电压开通。
B.降压型半波零电压开关准谐振电路开关管在一定的时间范围之内开通才能实现零电压开通。
C.降压型半波零电压开关准谐振电路不能实现零电压开通，但可以实现零电压关断。
D.降压型半波零电压开关准谐振电路不能实现零电压关断，但可以实现零电压开通。
第4题
A.IGBT驱动电路需要输出很大的驱动电流，对输出电压大小无特别规定。
B.GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
C.MOSFET驱动电路输出的驱动电流不大，对输出电压大小无特别规定。
D.MOSFET驱动电路输出的驱动电流很大，对输出电压大小有规定。
第6题
A.降压型半波零电流开关准谐振电路开关管在任何时刻关断都能实现零电流关断。
B.降压型半波零电流开关准谐振电路开关管在一定的时间范围之内关断才能实现零电流关断。
C.降压型半波零电流开关准谐振电路不能实现零电流关断。
D.降压型半波零电流开关准谐振电路的开关频率完全由开关管的关断时刻决定的。
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