题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
真空蒸镀台阶覆盖特性的改善方法有（）。
A.衬底加热
B.衬底旋转
C.衬底支架设计为半球形
D.衬底静止
答案
衬底加热;衬底旋转;衬底支架设计为半球形
如搜索结果不匹配，请 联系老师 获取答案
A.其栅氧化层厚度越小，阈值电压越大
B.其衬底掺杂浓度越高，阈值电压越大
C.其阈值电压必定是负的
D.其衬底费米势肯定是负的
更多“真空蒸镀台阶覆盖特性的改善方法有（）。”相关的问题
第10题
下面关于二氧化硅薄膜制备的说法哪项是正确的（）。 ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低
A.⑴⑵⑷
B.⑵⑶⑷
C.⑴⑶⑷
D.⑴⑵⑶⑷
