题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
蒸镀是利用真空泵将淀积室抽成“真空”，然后用高熔点材料制成的蒸发源将淀积材料加热、蒸发、淀积于基片上的镀膜技术。
答案
正确
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A.CVD
B.氧化
C.蒸镀
D.溅射
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第5题
LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为：
A.温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响；
B.淀积速率受气相质量输运控制；
C.淀积速率受表面化学反应控制；
D.反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
第6题
LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为：
A.温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响；
B.淀积速率受气相质量输运控制；
C.淀积速率受表面化学反应控制；
D.反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
