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第1题
蒸镀是利用真空泵将淀积室抽成“真空”,然后用高熔点材料制成的蒸发源将淀积材料加热、蒸发、淀积于基片上的镀膜技术。
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第2题
LPCVD-SiO2,将工艺控制在较高温度,有:ks>>hg,此时淀积速率的特点为:
A.温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响;
B.淀积速率受气相质量输运控制;
C.淀积速率受表面化学反应控制;
D.反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
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第3题
LPCVD-SiO2,将工艺控制在较高温度,有:ks>>hg,此时淀积速率的特点为:
A.温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响;
B.淀积速率受气相质量输运控制;
C.淀积速率受表面化学反应控制;
D.反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
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第4题
PECVD的含义是
A.光化学气相淀积
B.等离子体增强化学气相淀积
C.低压化学气相淀积
D.常压化学气相淀积
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第6题
褐土是发育于暖温带半湿润大陆性季风气候,具有黏化与钙质淋溶淀积的地带性土壤,有明显的黏粒淀积与假菌丝或石灰结核钙积层。
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第7题
在现代CMOS工艺中,器件的制造需要在晶片上各种材料的淀积,这些材料主要包括: __________ 、__________ 、__________ 和 等;
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第8题
()位于淀积层之下,是未受淋溶和淀积作用,发育程度很低或未发育的岩石风化层。
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第9题
通过加热,使待淀积的金属原子获得足够的能量,脱离金属表面蒸发出来,在飞行途中遇到硅片,就淀积在硅表面,形成金属薄膜,该工艺过程是
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