使MOSFET开通的驱动电压一般为 V，使IGBT开通的驱动电压一般为 V。关断时施加一定幅值的负驱动电压以利于减小 和关断损耗。

A.IGBT驱动电路需要输出很大的驱动电流，对输出电压大小无特别规定。

B.GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。

C.MOSFET驱动电路输出的驱动电流不大，对输出电压大小无特别规定。

D.MOSFET驱动电路输出的驱动电流很大，对输出电压大小有规定。

A.IGBT驱动电路需要输出很大的驱动电流，对输出电压大小无特别规定。

B.GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。

C.MOSFET驱动电路输出的驱动电流不大，对输出电压大小无特别规定。

D.MOSFET驱动电路输出的驱动电流很大，对输出电压大小有规定。

A.IGBT驱动电路需要输出很大的驱动电流，对输出电压的驱动大小无特别规定。

B.MOSFET驱动电路输出的驱动电流很大，对输出的驱动电压大小有规定。

C.MOSFET驱动电路输出的驱动电流不大，对输出的驱动电压大小无特别规定。

D.关断驱动电路和门极反偏电路三部分。

A.MOSFET

B.GTR

C.GTO

D.IGBT

A.MOSFET

B.GTR

C.GTO

D.IGBT

A.IGBT开关速度高于电力MOSFET

B.IGBT是电压驱动型器件

C.电力MOSFET存在二次击穿问题

D.IGBT具有擎住效应

A.IGBT开关速度高于电力MOSFET

B.IGBT是电压驱动型器件

C.电力MOSFET存在二次击穿问题

D.IGBT具有擎住效应

A.POWER MOSFET

B.GTR

C.GTO

D.IGBT