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[主观题]

雪崩光电二极管APD是通过碰撞电离获得内部增益，使得光电流实现雪崩倍增的高灵敏度光检测器。

答案

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第1题

雪崩光电二极管APD是通过碰撞电离获得内部增益，使得光电流实现雪崩倍增的高灵敏度光检测器。

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第2题

简述雪崩光电二极管APD的雪崩倍增效应。

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第3题

随着PN结反向电压的增加，载流子在势垒区积累的能量增加，会发生雪崩倍增效应，当（）时，雪崩倍增因子趋于无穷大，发生雪崩击穿。

A.碰撞电离率小于1

B.碰撞电离率等于1

C.碰撞电离率积分等于1

D.碰撞电离率积分小于1

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第4题

随着PN结反向电压的增加，载流子在势垒区积累的能量增加，会发生雪崩倍增效应，当（）时，雪崩倍增因子趋于无穷大，发生雪崩击穿。

A.碰撞电离率小于1

B.碰撞电离率等于1

C.碰撞电离率积分等于1

D.碰撞电离率积分小于1

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第5题

外光电效应（光电倍增管）是入射光能量大，能将光敏材料的的内部电子全部激发出来。典型器件APD雪崩光电二极管

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第6题

雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。

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第7题

雪崩光电二极管特性中的量子效率只与初级光生载流子数目有关，不涉及倍增问题，故量子效率值总是（）。

A.大于1

B.略大于1

C.等于1

D.小于1

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第8题

【单选题】采用硅材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围（)

A.0.4-0.5μm

B.0.4-1.0μm

C.0.5-1.0μm

D.0.5-1.5μm

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