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[主观题]

在绘制版图时,版图的面积越小越好,所以要将NMOS管和PMOS管可以无限靠近

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第1题

CMOS反相器电路是由()各一个器件构成的

A.增强型PMOS工作管和耗尽型NMOS负载管

B.增强型NMOS管和耗尽型PMOS管

C.增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管

D.增强型PMOS管和耗尽型NMOS管

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第2题

对于触发器等比较大的数字单元,为了节省面积,版图设计可以将同类型的串联或并联的MOS管进行源/漏共享接法
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第3题

某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则该管是()。

A.N沟道结型管

B.增强型PMOS管

C.耗尽型PMOS管

D.耗尽型NMOS管

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第4题

UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 () 。

A.增强型NMOS

B.增强型PMOS

C.耗尽型NMOS

D.耗尽型PMOS

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第5题

在版图绘制时绘制源漏区域的掺杂层图层时可以绘制一个完全包围有源区的图形,并可以和多晶层交叠,而不是分别在源、漏各绘制一个掺杂层,其主要原因是因为在工艺中采用自对准工艺。
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第6题

在标准单元版图绘制中,一般pitch的取法有三种,它们分别是 line on line 、line on via 、 。
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第7题

MOS型集成电路可以分为PMOS,NMOS和CMOS等类型。
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第8题

建立设计单元库的目的是为了避免重复绘制那些反复在电路中用到的版图单元
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第9题

以二输入为例说明或非门版图结构和与非门版图的异同
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第10题

版图布局布线时,可以考虑用有源区、多晶等材料完成布线
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